挖贝网9月26日，昌德微电（873949）近日发布公告，无锡昌德微电子股份有限公司（以下简称“公司”）自主研发的IGBT芯片已完成内部评估和客户验证工作，现已开始批量供货。

公司研发的IGBT芯片优化了外延材料和芯片结构，采用更为先进的减薄工艺，降低了功率损耗，减小了反向漏电，增强了鲁棒性（强短路能力），同时提高了IGBT芯片的结温，增强了器件的可靠性和制程的稳定性，大幅提升了IGBT器件的使用寿命。该产品被广泛的应用于工业变频器、光伏逆变器等电力电子设备中。

IGBT是功率半导体器件体系中的核心器件，上述新产品的发布标志着公司已进入主流功率器件供应商行列，是公司研发实力和竞争力的体现，对公司的经营业绩、市场拓展和公司品牌战略具有积极的影响，有助于公司未来业务的长足发展。

挖贝网资料显示，昌德微电主要产品与服务项目为功率半导体器件的设计、封装、测试和销售。