加快8英寸碳化硅商业化量产

碳化硅衬底作为器件最核心的材料，成本占比最大，接近器件成本的一半，并且技术难度极高，缺陷控制的程度直接影响到商业化量产的水平。

尺寸越大，单位芯片成本越低。目前，碳化硅器件全球头部客户已经加大在8英寸产线的布局，国内也有多家晶圆厂实现了8英寸器件的量产。与6英寸相比，8英寸晶体如何长得更厚，缺陷如何控制得更低，成为行业的主要发展方向。

吴春生表示，公司8英寸电阻法碳化硅单晶炉由于解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈，让工艺开发人员能够更快更准确地验证工艺和晶体实际生长之间的对应关系，大大缩短了工艺开发周期，为后期8英寸衬底量产的可靠性提供了扎实的设备基础，将有助于快速推动8英寸衬底商业化量产的进度。

半导体材料设备行业技术壁垒高、研发周期长、资金投入大、下游验证周期长，目前国内只有少数企业可实现晶体生长设备技术验证并批量供应。

与其他设备厂商不同，晶升股份早在研发半导体单晶硅炉时，采取的路径即是提供整套服务方案，即以下游产品性能要求切入，分析工艺需求，再开发设备，为客户提供的不仅是设备，还包括热场系统以及工艺设计。

2016年，晶升股份首台12英寸半导体级单晶硅炉研制成功，晶升股份与沪硅产业子公司上海新昇展开深入合作，作为当时其半导体级单晶硅炉产品国内唯一供应商，协作实现首根12英寸晶棒在当年年底成功下线。2018年，设备结构设计具有高稳定性、高可靠性的12英寸半导体级单晶硅炉通过上海新昇验收，至此，12英寸半导体级单晶硅炉打破国内空白的历史，实现国产量产。

“国内客户早期没有成熟的热场和工艺，希望设备厂可以交付整套方案。”吴春生说，“这就要求设备厂商除设备团队外，还需要搭建了解热场和工艺的团队，相当于走了一条相对难的路线，但走通后也给公司创造了一个能力，对下游终端产品和工艺非常了解，可反哺设备的开发和调整。”

2017年，晶升股份捕捉到碳化硅将成为公司业务的新风口，于是内部成立专项组，外部引进人才，促成2018年首台碳化硅单晶炉产品正式交付。

今年7月，晶升股份第一批8英寸碳化硅长晶设备在重庆完成交付，这意味着公司8英寸碳化硅长晶设备已完成验证，开启了批量交付进程。在晶升股份位于南京的生产车间，一排排“黑色柜子”正在组装中，不久之后，这些8英寸碳化硅单晶炉有望投向市场。

今年上半年，晶升股份晶体生长设备销售收入中仍以碳化硅单晶炉收入为主，占比过半。晶升股份募投项目总部生产及研发中心工程建设进展顺利，预计项目验收后可于今年四季度投入使用。此项目正式达产后，晶升股份总产能将达到每年1400台左右。