2)受益新能源车爆发，SiC 产业化黄金时代将来临。Yole 预计2026 年SiC 功率器件市场规模将达45 亿美元，2020-2026 年CAGR=36%。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动，应用端：解决续航痛点。成本端：单车可节省400-800 美元的电池成本。客户端：

　　特斯拉等车企相继布局。目前特斯拉仅使用在主逆变器上、未来有进一步应用提升空间。

　　3)性价比是决定SiC 器件大批量使用的关键，衬底制备为碳化硅性价比提升的核心。在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心、也是技术壁垒最高环节，是未来SiC 降本、大规模产业化推进的核心关键。

　　SiC 衬底：新能源车+光伏需求潜力巨大；国内外差距逐步缩小、国产替代可期1)市场空间：预计2025 年新能源车+光伏逆变器市场需求达261 亿元，2021-2025 年CAGR=79%。新能源车：目前单特斯拉Model 3/Y 一年需求量就能消耗全球SiC 晶圆绝大产能。我们测算如2025 年SiC 在新能源车渗透率达60%，预计6 英寸SiC 衬底需求达587 万片/年，市场空间达231 亿元。光伏逆变器：“大组件、大逆变器、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V 提升至1500V 以上，碳化硅功率器件有望成为标配。我们假设2025 年碳化硅渗透率提升至50%，对应SiC 衬底市场达30 亿元。行业核心瓶颈在于供给端不足。

　　2)竞争格局：国内外差距在逐步缩小，国产替代可期。目前海外龙头(Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额)已实现6 英寸规模化供应、向8 英寸进军。国产厂家(天岳先进、天科合达、晶盛机电、露笑科技等)以小尺寸为主、向6 英寸进军。但可观测到，国内外差距正在缩小、且整体差距小于传统硅基半导体。国内外差距已从过去的10-15 年(4 英寸)、缩小至5-10 年以内(6 英寸)。预计未来向8 英寸进军过程中，差距有望进一步缩小。

　　3)生产工艺：较硅基半导体难度大幅增加；长晶环节是关键。碳化硅衬底属于技术密集型行业。核心难点在于：长晶工艺复杂(只有4H 型等少数几种是所需的晶型)，生长速度慢(每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅慢近百倍以上)，产出良率低(硬度与金刚石接近，切磨抛难度大)。“产学研用”为国内碳化硅衬底发展的重要推进动力。国内高校和科研单位主要包括中科院物理所、山东大学、上海硅酸盐所等。

　　4)行业趋势：降本是产业化核心，向大尺寸延伸。目前6 英寸SiC 衬底价格在1000 美金/片，数倍于传统硅基半导体。未来降本方式包括：提升材料使用率(大尺寸化，由4 英寸向6 英寸、8 英寸延伸)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟长晶工艺)。

　　SiC 衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具一定相通性、但工艺难度更高。碳化硅衬底第三方设备厂商较少，企业更多为设备+制造一体化布局为主，便于将核心工艺机密掌握自己手里。设备+工艺联合研发、形成互哺是关键。

　　投资建议

　　重点推荐：晶盛机电。重点关注上市公司：天岳先进、露笑科技、三安光电、东尼电子、天通股份、凤凰光学、华润微、天富能源等。关注非上市公司：天科合达、河北同光、山东烁科、瀚天天成、天域半导体、中科节能、泰科天润等。

　　风险提示：研发进度不及预期风险；国际贸易争端加剧风险。

（文章来源：浙商证券）