顶尖财经网(www.58188.com)2022-12-6 9:29:12讯：

　　半导体周期虽然出现阶段性调整，但受益于新能源汽车、新能源发电等需求推动，以IGBT(绝缘栅双极型晶体管)为代表的功率器件强势增长，A股相关IGBT公司订单量饱满，产能供不应求。

　　车规级IGBT持续放量

　　作为IGBT龙头，斯达半导今年前三季度实现净利润达到5.9亿元，同比增长1.21倍，增速超过营业收入，销售毛利率达到41.07%，环比提升。

　　在12月5日斯达半导三季度业绩说明会上，公司高管介绍，近几个季度营收增长主要驱动力来自公司产品在新能源汽车、光伏、储能、风电等行业持续快速放量，市场份额不断提高；随着规模化效应释放、产品结构优化、生产经营效率提高，公司毛利率持续增长。

　　从收入结构来看，1~9月份，斯达半导来自新能源行业(包含新能源汽车、新能源发电、储能)的收入占比超过一半，成为公司业绩增长的主要推动力。其中，公司的车规级半导体模块在国内主流新能源汽车厂家大批量应用多年，市场份额不断提高，已成为国内新能源汽车车规级功率半导体模块的主要供应商。

　　据此前披露，斯达半导生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，上半年合计配套超过50万辆新能源汽车，并预计下半年配套数量将进一步增加，其中A级及以上车型超过20万辆。

　　“公司正在积极扩产以满足不断增长的市场需求。”斯达半导高管介绍，目前公司订单饱满，公司整体产能利用率保持在较高水平，公司正在积极扩产建设以满足新能源汽车、光伏发电、风力发电、储能、工业控制等行业不断增长的市场需求。

　　产能爬坡影响利润

　　IGBT同行宏微科技也受益于新能源市场发展，今年前三季度公司实现净利润6125万元，同比增长约三成；其中，第三季度实现2901万元，同比上年同比增长近翻倍，销售毛利率21.77%，约为斯达半导一半。

　　对于毛利率差异，宏微科技高管在11月接受机构调研时指出，公司2022年全年毛利率相比较2021年处于同等水平，与同行业公司之间还存在一定差距，主要受产线爬坡影响。

　　“公司接受订单量饱满，但由于上游部分核心原材料短缺及公司新增封测产能仍处于爬坡阶段，所以目前无法完全满足市场需求。”宏微科技高管介绍，由于公司在光伏、电动汽车等领域收入大幅增加，公司积极应对下游客户需求，资产投入前置，折旧费用陡增，除此以外，整个扩产的产线仍处于爬坡阶段，产能利用率有待提升；未来随着公司下游应用结构调整，产能利用率提升，规模化效应显现，预计将改善公司毛利率。

　　主要产品进展方面，宏微科技在12寸IGBT平台在公司M3i芯片平台基础上，上半年开始了微沟槽M4i750V和M6i1200V的研发制样；公司的M7i微沟槽1200VIGBT首颗产品已通过客户认证并收获小批量订单；车用820A/750V模块产品已获得客户验证并开始批量交付等。

　　相比，功率半导体士兰微在今年前三季度实现净利润7.74亿元，同比增长6.43%；其中第三季度净利润同比下降约四成。

　　衬底短缺影响产能

　　作为IDM模式半导体，士兰微主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED产品。今年前三季度公司，士兰微实现净利润7.74亿元，同比增长6.43%，其中，受下游消费电子市场需求放缓、限电等影响，公司器件芯片和LED订单下滑，第三季度公司实现净利润同比下降约四成。

　　近期接受机构调研时，士兰微高管预计，第四季度公司营收有望稳定向上，汽车新能源的产品已逐步具备大量出货的条件；白电市场四季度会是旺季，可以延续到明年上半年；国产替代还是在加速的过程中，公司将通过更高效的生产运作和更高的质量控制水平赢得市场。

　　另外，在业绩交流会上，士兰微董事长陈向东指出，今年前三季度实现的收入金额距离公司年初提出的100亿收入目标还有较大差距。对此，公司将加快与汽车、新能源等相关的产品产出，努力提升第四季度营收规模。公司对今后几年营收继续保持较快增长充满信心。

　　在IGBT市场，士兰微的IGBT单管和模块在工业领域已经大量应用，并拓展到了新能源和汽车。据介绍，公司12寸IGBT月产能为1.5万片，但受衬底短缺的影响，实际尚未达标，目前正在解决，加上公司8寸线和6寸线都有IGBT产能，所以IGBT相关的产品营收规模占比已大幅提高，预计未来会有进一步的成长。

　　“现在面临的主要问题是衬底有短缺。我们和上游的供应商都在积极推动解决。二季度对我们困扰比较大的FRD(快恢复二极管)现在也在逐步解决。”士兰微高管表示。

　　目前，士兰微FRD已经开始在12寸上量，MOS产品结构也在调整，其中，最新一代MOS已大量运用到汽车主驱和光伏微逆变器，出货量还在持续提升。相比，传统、低价值MOS也在出货，公司将积极拓展头部市场，消化相应产能，维持价格相对稳定。

　　今年10月，士兰微筹划定增募资不超过65亿元，用于建设“年产36万片12英寸芯片生产线项目”、“SiC功率器件生产线建设项目”、“汽车半导体封装项目(一期)”及补充流动资金。

（文章来源：证券时报）